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中新社北京1月17日电 (记者 潘无忌)记者17日从中国原子能集团公司获悉，由中国原子能集团公司中国原子能研究院自主研制的我国首台串联式高能氢离子注入机(POWER-750H)成功产生束流，其基本指标达到国际先进水平。
分析人士表示，这表明我国已完全掌握串联高能氢离子注入装备全链路研发技术，攻克功率半导体制造链关键环节，推动高端制造装备自主可控，为保障产业链安全奠定了坚实基础。
注入离子、光刻设备、刻蚀设备和薄膜沉积设备被称为芯片制造的“四核设备”。这是“绝对必要的”该高能氢离子注入机的研制成功，是核技术与半导体产业深度融合的重要成果，将有效增强我国在功率半导体等关键领域的自主支撑能力。
长期以来，我国高能氢离子注入设备完全依赖国外进口。研发难度大、技术壁垒高，是限制我国战略产业高端化的障碍之一。中国原子能研究院基于数十年在核物理加速器领域的深厚积累，以串列加速器技术为核心手段，解决了一系列问题，掌握了高能氢离子串列注入机从基本原理到整机集成的先进设计能力，打破了国外企业在该领域的技术封锁和长期垄断。 （完）
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